是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.77 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 10000 | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 125 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63LT1 | ONSEMI |
完全替代 |
Darlington Transistors(PNP Silicon) | |
MMBTA63 | ONSEMI |
类似代替 |
PNP达林顿晶体管 | |
MMBTA63 | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP Darlington Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63LT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistors | |
MMBTA63S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon | |
MMBTA63-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FR | |
MMBTA63-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 | |
MMBTA63W | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 | |
MMBTA64 | MCC |
获取价格 |
PNP Darlington Transistor | |
MMBTA64 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) | |
MMBTA64 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Darlington Transistor | |
MMBTA64 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR) | |
MMBTA64 | DIODES |
获取价格 |
PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |