5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> MMBTA63-TP-HF
MMBTA63-TP-HF PDF预览

MMBTA63-TP-HF

更新时间： 2024-11-16 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 152K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBTA63-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMBTA63-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA63-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
Micro Commercial Components  
MMBTA63  
MMBTA64  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
This device is designed for applications requiring extremely high  
current gain at 500mA.  
PNP Darlington  
Transistor  
Marking : MMBTA63: 2U  
MMBTA64: 2V  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Maximum Ratings  
SOT-23  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
Unit  
V
30  
30  
A
V
D
10  
V
C
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.5  
A
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
OC  
B
C
TSTG  
E
B
Thermal Characteristics  
Symbol  
F
E
Rating  
Max  
300  
417  
Unit  
mW  
OC/W  
PC  
Collector Power Dissipation*  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
G
H
J
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-base breakdown voltage  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
INCHES  
MM  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
30  
---  
DIM  
A
MIN  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
MAX  
.120  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
Collector-emitter breakdown voltage  
B
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
(I =100uAdc, IB=0)  
C
30  
10  
---  
---  
---  
---  
C
D
E
Emitter-base breakdown voltage  
(I =100uAdc, IC=0)  
E
1.78  
.45  
F
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, I =0)  
CBO  
G
H
J
.013  
.89  
.100  
1.12  
.180  
.51  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=10Vdc, I =0)  
.085  
.37  
K
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE1  
Suggested Solder  
Pad Layout  
DC Current Gain  
(VCE=5.0Vdc, I =10mAdc)  
C
5000  
10000  
---  
---  
---  
---  
MMBTA63  
MMBTA64  
.031  
.800  
hFE2  
DC Current Gain  
.035  
.900  
(VCE=5.0Vdc, I =100mA)  
C
10000  
20000  
---  
---  
---  
---  
MMBTA63  
MMBTA64  
.079  
2.000  
inches  
mm  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, IB=0.1mAdc)  
---  
---  
1.5  
2.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
C
Base-Emitter On Voltage  
(I =100mAdc, VCE=5.0Vdc)  
C
.037  
.950  
Current-Gain—Bandwidth Product  
.037  
.950  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=100MHz)  
C
125  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision:5  
2008/12/11  
123

中文翻译

下载PDF

与MMBTA63-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBTA63W SWST

获取价格

 		达林顿三极管
MMBTA64 MCC

获取价格

 		PNP Darlington Transistor
MMBTA64 SAMSUNG

获取价格

 		PNP (DARLINGTON TRANSISTOR)
MMBTA64 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Darlington Transistor
MMBTA64 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR)
MMBTA64 DIODES

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA64 TRSYS

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA64 ONSEMI

获取价格

 		PNP 达灵顿晶体管
MMBTA64 WEITRON

获取价格

 		Darlington Transistor PNP Silicon
MMBTA64 SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

与MMBTA63-TP-HF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证