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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA64LT1
MMBTA64LT1 PDF预览

MMBTA64LT1

更新时间： 2024-11-03 22:39:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
Darlington Transistors(PNP Silicon)

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MMBTA64LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-236AF包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：20000JEDEC-95代码：TO-236AF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

MMBTA64LT1 数据手册

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ON Semiconductort  
Darlington Transistors  
PNP Silicon  
MMBTA63LT1  
MMBTA64LT1  
MMBTA64LT1 is a Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–30  
Unit  
Vdc  
V
CES  
CBO  
EBO  
3
V
V
–30  
Vdc  
–10  
Vdc  
1
Collector Current – Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
2
DEVICE MARKING  
MMBTA63LT1 = 2U; MMBTA64LT1 = 2V  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AF)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
COLLECTOR 3  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
qJA  
BASE  
1
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
EMITTER 2  
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –100 µAdc)  
V
–30  
–
–
Vdc  
nAdc  
nAdc  
C
(BR)CEO  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 Vdc)  
= –10 Vdc)  
I
–100  
–100  
CB  
CBO  
Emitter Cutoff Current (V  
I
–
EB  
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
(3)  
DC Current Gain  
(I = –10 mAdc, V  
h
FE  
–
= –5.0 Vdc)  
= –5.0 Vdc)  
MMBTA63  
MMBTA64  
MMBTA63  
MMBTA64  
5,000  
10,000  
10,000  
20,000  
–
–
–
–
C
CE  
CE  
(I = –10 mAdc, V  
(I = –100 mAdc, V  
(I = –100 mAdc, V  
C
C
C
= –5.0 Vdc)  
= –5.0 Vdc)  
CE  
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mAdc, I = –0.1 mAdc)  
V
CE(sat)  
–
–
–1.5  
–2.0  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = –100 mAdc, V  
C
= –5.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain – Bandwidth Product (I = –10 mAdc, V  
C
= –5.0 Vdc, f = 100 MHz)  
f
T
125  
–
MHz  
CE  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBTA63LT1/D  
1234

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MMBTA64LT1G ONSEMI

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