是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 10000 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 125 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63-TP-HF | MCC |
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暂无描述 | |
MMBTA63W | SWST |
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达林顿三极管 | |
MMBTA64 | MCC |
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PNP Darlington Transistor | |
MMBTA64 | SAMSUNG |
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PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) | |
MMBTA64 | FAIRCHILD |
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PNP Darlington Transistor | |
MMBTA64 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR) | |
MMBTA64 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA64 | TRSYS |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA64 | ONSEMI |
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PNP 达灵顿晶体管 | |
MMBTA64 | WEITRON |
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Darlington Transistor PNP Silicon |