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MMBTA63

更新时间: 2024-11-17 22:39:43
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
PNP (DARLINGTON TRANSISTOR)

MMBTA63 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):10000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHzBase Number Matches:1

MMBTA63 数据手册

 浏览型号MMBTA63的Datasheet PDF文件第2页 

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