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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBTA63LT1
MMBTA63LT1 PDF预览

MMBTA63LT1

更新时间： 2024-11-17 22:14:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
Darlington Transistors

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MMBTA63LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.48Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

MMBTA63LT1 数据手册

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by MMBTA63LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR 3  
*Motorola Preferred Device  
BASE  
1
EMITTER 2  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
–30  
Unit  
Vdc  
2
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
–30  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
–10  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
DEVICE MARKING  
I
C
–500  
mAdc  
MMBTA63LT1 = 2U; MMBTA64LT1 = 2V  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
JA  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –100 µAdc)  
V
–30  
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
C
(BR)CEO  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 Vdc)  
= –10 Vdc)  
I
–100  
–100  
CB  
CBO  
Emitter Cutoff Current (V  
EB  
I
—
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
(3)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = –10 mAdc, V  
= –5.0 Vdc)  
= –5.0 Vdc)  
MMBTA63  
MMBTA64  
MMBTA63  
MMBTA64  
5,000  
10,000  
10,000  
20,000  
—
—
—
—
C
CE  
CE  
(I = –10 mAdc, V  
C
(I = –100 mAdc, V  
= –5.0 Vdc)  
= –5.0 Vdc)  
C
CE  
CE  
(I = –100 mAdc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mAdc, I = –0.1 mAdc)  
V
CE(sat)  
—
—
–1.5  
–2.0  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = –100 mAdc, V  
C
= –5.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (I = –10 mAdc, V  
C
= –5.0 Vdc, f = 100 MHz)  
f
T
125  
—
MHz  
CE  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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