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MMBTA63LT1

更新时间： 2024-11-17 22:14:27

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乐山 - LRC		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Darlington Transistors(PNP Silicon)

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MMBTA63LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA63LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

DarlingtonTransistors

PNP Silicon

MMBTA63LT1

MMBTA64LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CES

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

–30

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

–30

Vdc

–10

Vdc

–500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBTA63LT1 = 2U MMBTA64LT1 = 2V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= –100 µAdc, )

V _(BR)CEO

–30

—

Vdc

nAdc

Collector Cutoff Current

I _CBO

–100

( V _CB= –30Vdc)

Emitter Cutoff Current

I _EBO

—

( V _EB= –10Vdc )

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M30–1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBTA63LT1G	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors PNP Silicon
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