是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 10000 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 125 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63 MMBTA64 | UTC |
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PNP | |
MMBTA63_08 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | |
MMBTA63_1 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA63_10 | FAIRCHILD |
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PNP Darlington Transistor | |
MMBTA63_2 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA63-7 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA63-7-F | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | |
MMBTA63L99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon | |
MMBTA63LT1 | ONSEMI |
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Darlington Transistors(PNP Silicon) | |
MMBTA63LT1 | LRC |
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Darlington Transistors(PNP Silicon) |