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MJF2955

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJF2955 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.26其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：90 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

MJF2955 数据手册

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by MJF3055/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.  
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Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min)  
Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
10 AMPERES  
90 VOLTS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — V  
10 Amperes Rated Collector Current  
No Isolating Washers Required  
Reduced System Cost  
90 Volts  
CEO(sus)  
30 WATTS  
UL Recognized, File #E69369, to 3500 V  
Isolation  
RMS  
CASE 221D–02  
TO–220 TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
90  
90  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Base–Emitter Voltage  
V
CEO(sus)  
V
CES  
EBO  
V
Collector Current — Continuous  
Base Current — Continuous  
I
C
10  
6
I
B
RMS Isolation Voltage (3)  
(for 1 sec, R.H. < 30%,  
Test No. 1 Per Fig. 4  
Test No. 2 Per Fig. 5  
Test No. 3 Per Fig. 6  
V
ISOL  
4500  
3500  
1500  
V
RMS  
T
= 25 C)  
A
Total Power Dissipation @ T = 25 C (2)  
C
P
P
30  
0.25  
Watts  
W/ C  
D
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
2
Watts  
W/ C  
D
0.016  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
4
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance — Junction to Case (2)  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle  
R
R
θJC  
62.5  
260  
θJA  
T
L
10%.  
(2) Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated surface (in a location beneath the die), the devices mounted on a  
(2) heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.  
(3) Proper strike and creepage distance must be provided.  
Motorola, Inc. 1995
1234

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MJF2955 替代型号

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MJF2955G ONSEMI

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 Complementary Silicon Power Transistors

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