MJF3055

更新时间： 2024-11-18 22:30:07

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 90 VOLTS 30 WATTS

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MJF3055 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

MJF3055 数据手册

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by MJF3055/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.

•

Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min)

Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSISTORS

10 AMPERES

90 VOLTS

Collector–Emitter Sustaining Voltage — V

10 Amperes Rated Collector Current

No Isolating Washers Required

Reduced System Cost

90 Volts

CEO(sus)

30 WATTS

UL Recognized, File #E69369, to 3500 V

Isolation

RMS

CASE 221D–02

TO–220 TYPE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Base–Emitter Voltage

CEO(sus)

CES

EBO

Collector Current — Continuous

Base Current — Continuous

RMS Isolation Voltage (3)

(for 1 sec, R.H. < 30%,

Test No. 1 Per Fig. 4

Test No. 2 Per Fig. 5

Test No. 3 Per Fig. 6

ISOL

4500

3500

1500

RMS

= 25 C)

Total Power Dissipation @ T = 25 C (2)

0.25

Watts

W/ C

Derate above 25 C

Total Power Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

Watts

W/ C

0.016

Operating and Storage Temperature Range

T , T

–55 to +150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

C/W

Thermal Resistance — Junction to Case (2)

Thermal Resistance — Junction to Ambient

Lead Temperature for Soldering Purposes

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle

θJC

62.5

260

θJA

10%.

(2) Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated surface (in a location beneath the die), the devices mounted on a

(2) heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.

(3) Proper strike and creepage distance must be provided.

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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