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MJF45H11

更新时间： 2024-02-13 06:13:02

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	205K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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MJF45H11 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

MJF45H11 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

MJF45H11

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Fast switching speeds

·Low collector saturation voltage

·Complement to type MJF44H11

APPLICATIONS

·For general purpose power amplification

and switching regulators,converters and

power amplifiers applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-5

Collector current (DC)

Collector current-Peak

-10

I_CM

-20

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_D

Total power dissipation

2.0

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

Thermal resistance from junction to ambient

VALUE

3.5

UNIT

ꢀ/W

R_{th j-C}

R_{th j-A}

62.5

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJF45H11G	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS, 36 WATTS
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MJF47	MOTOROLA	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 1 AMPERE 250 VOLTS 28 WATTS
MJF47G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Power Transistor Isolated Package Applications
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