MJD44H11-1G

更新时间： 2024-11-01 12:02:15

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
9页	132K
描述
Complementary Power Transistors

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MJD44H11-1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.64
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MJD44H11-1G 数据手册

MJD44H11,

NJVMJD44H11 (NPN),

MJD45H11,

NJVMJD45H11 (PNP)

Complementary Power

Transistors

http://onsemi.com

DPAK For Surface Mount Applications

SILICON

POWER TRANSISTORS

8 AMPERES

Designed for general purpose power and switching such as output or

driver stages in applications such as switching regulators, converters,

and power amplifiers.

80 VOLTS, 20 WATTS

Features

MARKING

DIAGRAMS

• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves

(No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

• Low Collector Emitter Saturation Voltage −

AYWW

xH11G

DPAK

CASE 369C

STYLE 1

CE(sat)

= 1.0 Volt Max @ 8.0 A

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V

AYWW

xH11G

Machine Model, C u 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These are Pb−Free Packages*

IPAK

CASE 369D

STYLE 1

J4xH11

Assembly Location

Year

Work Week

Device Code

x = 4 or 5

Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 7 of this data sheet.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

August, 2012 − Rev. 14

MJD44H11/D

12 3 4 5 6 7...9

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MJD44H11-1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KSH44H11ITU	ONSEMI	类似代替	NPN 外延硅晶体管
MJD44H11-001	ONSEMI	类似代替	SILICON POWER TRANSISTORS
KSH44H11ITU	FAIRCHILD	功能相似	NPN Epitaxial Silicon Transistor

与MJD44H11-1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD44H11A	NEXPERIA	获取价格	80 V, 8 A NPN high power bipolar transistorProduction
MJD44H11G	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11IP	RECTRON	获取价格	Package / Case : TO-251;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 20 W;Transistor Polar
MJD44H11RL	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11RLG	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD44H11T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	Complementary power transistors
MJD44H11T4	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD44H11T4	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T4-A	STMICROELECTRONICS	获取价格	Complementary power transistors
MJD44H11T4G	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS

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