5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD44H11T4
MJD44H11T4 PDF预览

MJD44H11T4

更新时间： 2024-11-04 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 195K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD44H11T4 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：20 W最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz最大关闭时间（toff）：640 ns
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

MJD44H11T4 数据手册

 浏览型号MJD44H11T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD44H11T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD44H11T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD44H11T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJD44H11T4的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by MJD44H11/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
. . . for general purpose power and switching such as output or driver stages in  
applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount (“T4” Suffix)  
Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series  
80 VOLTS  
20 WATTS  
Low Collector Emitter Saturation Voltage — V  
Fast Switching Speeds  
= 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes  
CE(sat)  
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
CASE 369A–13  
Rating  
Symbol  
D44H11 or D45H11  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
80  
5
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8
16  
Total Power Dissipation  
P
D
CASE 369–07  
@ T = 25 C  
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation (1)  
P
D
@ T = 25 C  
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
A
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
260  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)  
Lead Temperature for Soldering  
R
R
θJC  
θJA  
T
L
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.  
inches  
mm  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
123456

中文翻译

下载PDF

与MJD44H11T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD44H11T4-A STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Complementary power transistors
MJD44H11T4G ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T5 ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T5G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD44H11TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/
MJD44H11TF ONSEMI

获取价格

 		8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管
MJD44H11TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/
MJD44H11TM ONSEMI

获取价格

 		8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管
MJD45H11 KEXIN

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD45H11 TYSEMI

获取价格

 		Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

与MJD44H11T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证