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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.3 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJD44H11T4 | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
Complementary power transistors |
|
| MJD44H11 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS |
|
| MJD44H11T4G | ONSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD44H11T4G | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD44H11T5 | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD44H11T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD44H11TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
|
| MJD44H11TF | ONSEMI |
获取价格 |
8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管 |
|
| MJD44H11TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
|
| MJD44H11TM | ONSEMI |
获取价格 |
8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管 |
|
| MJD45H11 | KEXIN |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD45H11 | TYSEMI |
获取价格 |
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves |
|
| MJD45H11 | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistorProduction |
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