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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD44H11TM
MJD44H11TM PDF预览

MJD44H11TM

更新时间： 2024-09-15 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体驱动器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD44H11TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.04
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MJD44H11TM 数据手册

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MJD44H11  
General Purpose Power and Switching Such  
as Output or Driver Stages in Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular MJE44H  
Fast Switching Speeds  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
80  
CEO  
EBO  
5
8
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector-Current (Pulse)  
A
C
16  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
80  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= 80V, I = 0  
10  
50  
µA  
µA  
CE  
BE  
B
= 5V, I = 0  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 1V, I = 2A  
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 4A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn ON Time  
I
I
= 8A, I = 0.4A  
1
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(on)  
= 8A, I = 0.8A  
1.5  
B
f
V
V
= 10V, I = 0.5A  
50  
130  
300  
500  
140  
MHz  
pF  
ns  
T
CE  
CB  
C
C
=10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
I
I
= 5A  
ON  
C
= - I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
ns  
STG  
F
Fall Time  
ns  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

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MJD44H11TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD44H11TF FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/
KSH44H11TM FAIRCHILD

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSH44H11TF FAIRCHILD

类似代替

 General Purpose Power and Switching

与MJD44H11TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD45H11 KEXIN

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD45H11 TYSEMI

获取价格

 		Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
MJD45H11 NEXPERIA

获取价格

 		80 V, 8 A PNP high power bipolar transistorProduction
MJD45H11 FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK
MJD45H11 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
MJD45H11 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD45H11 ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11 CJ

获取价格

 		TO-252-2L
MJD45H11 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		80V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
MJD45H11 RECTRON

获取价格

 		Package / Case : TO-252(D-PAK);Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 20 W;Transistor Pol

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