5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MJD45H11
MJD45H11 PDF预览

MJD45H11

更新时间： 2024-10-31 22:15:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 驱动器
页数 文件大小 规格书
5页 44K
描述
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD45H11 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05Base Number Matches：1

MJD45H11 数据手册

 浏览型号MJD45H11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD45H11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD45H11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD45H11的Datasheet PDF文件第5页 
MJD45H11  
General Purpose Power and Switching Such  
as Output or Driver Stages in Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK: “-I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular MJE45H  
Fast Switching Speeds  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 80  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CEO  
EBO  
- 5  
V
I
I
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
- 8  
A
C
- 16  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= - 30mA, I = 0  
- 80  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 80V, I = 0  
- 10  
- 50  
µA  
µA  
CE  
BE  
B
= - 5V, I = 0  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= - 1V, I = - 2A  
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 4A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Collector Capacitance  
Turn On Time  
I
I
= - 8A, I = - 0.4A  
- 1  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(on)  
= - 8A, I = - 0.8A  
- 1.5  
B
f
V
V
= - 10A, I = - 0.5A  
40  
230  
135  
500  
100  
MHz  
pF  
ns  
T
CE  
CB  
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
I
I
= - 5A  
ON  
C
= - I = - 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
ns  
STG  
F
Fall Time  
ns  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. C2, July 2003  
12345

中文翻译

下载PDF

MJD45H11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH45H11TM FAIRCHILD

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/
MJD45H11T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 Complementary power transistors

与MJD45H11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD45H11_10 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
MJD45H11-001 ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11-001G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD45H11-1 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD45H11-1 SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
MJD45H11-1G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD45H11A NEXPERIA

获取价格

 		80 V, 8 A PNP high power bipolar transistorProduction
MJD45H11G ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11IP RECTRON

获取价格

 		Package / Case : TO-251;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 20 W;Transistor Polar
MJD45H11RL ONSEMI

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS

与MJD45H11相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证