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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | PLASTIC, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJD45H11T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
Complementary power transistors |
|
| MJD45H11T4 | ONSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD45H11_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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| MJD45H11-001 | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD45H11-001G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD45H11-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD45H11-1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| MJD45H11-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD45H11A | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistorProduction |
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| MJD45H11G | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD45H11IP | RECTRON |
获取价格 |
Package / Case : TO-251;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 20 W;Transistor Polar |
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| MJD45H11RL | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
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