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MGSF1N02LT3G

更新时间： 2024-11-21 03:35:27

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	63K
描述
Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23

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MGSF1N02LT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.13
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.75 A	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MGSF1N02LT3G 数据手册

MGSF1N02LT1

Preferred Device

Power MOSFET

750 mAmps, 20 Volts

N−Channel SOT−23

These miniature surface mount MOSFETs low R

assure

DS(on)

http://onsemi.com

minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal

for use in space sensitive power management circuitry. Typical

applications are dc−dc converters and power management in portable

and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA

cards, cellular and cordless telephones.

750 mAMPS, 20 VOLTS

R_DS(on)= 90 mW

N−Channel

Features

• Low R

Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

DS(on)

• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space

• Pb−Free Packages are Available

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain−to−Source Voltage

Gate−to−Source Voltage − Continuous

Drain Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

MARKING DIAGRAM/

PIN ASSIGNMENT

750

2000

− Continuous @ T = 25°C

Drain

− Pulsed Drain Current (t ≤ 10 ms)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

400

− 55 to 150

300

°C

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

N2 M G

Operating and Storage Temperature Range T , T

stg

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

°C/W

°C

Gate

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds

260

Source

= Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and overbar may vary

depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MGSF1N02LT1

SOT−23

3000/Tape & Reel

MGSF1N02LT1G SOT−23

(Pb−Free)

MGSF1N02LT3

SOT−23 10,000/Tape & Reel

MGSF1N02LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Publication Order Number:

December, 2005 − Rev. 4

MGSF1N02LT1/D

12 3 4

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MGSF1N02LT3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MGSF1N02LT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23
MGSF1N02LT3	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
MGSF1N02LT1	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts

与MGSF1N02LT3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGSF1N03L	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single NâChannel,
MGSF1N03L	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
MGSF1N03LT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
MGSF1N03LT1	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1N03LT1G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single NâChannel,
MGSF1N03LT1G	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V，2.1A，100 mΩ
MGSF1N03LT3	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
MGSF1N03LT3	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1N03LT3G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
MGSF1N03LT3G	TYSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single NâChannel,

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