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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF1N02LT3G
MGSF1N02LT3G PDF预览

MGSF1N02LT3G

更新时间： 2024-01-19 13:05:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23

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MGSF1N02LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.13
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A最大漏极电流 (ID)：0.75 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGSF1N02LT3G 数据手册

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MGSF1N02LT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
750 mAmps, 20 Volts  
N−Channel SOT−23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
http://onsemi.com  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry. Typical  
applications are dc−dc converters and power management in portable  
and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
750 mAMPS, 20 VOLTS  
RDS(on) = 90 mW  
N−Channel  
Features  
3
• Low R  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
• Pb−Free Packages are Available  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
2
V
DSS  
MARKING DIAGRAM/  
V
GS  
20  
PIN ASSIGNMENT  
3
I
750  
2000  
mA  
− Continuous @ T = 25°C  
D
A
Drain  
I
DM  
− Pulsed Drain Current (t ≤ 10 ms)  
p
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
400  
− 55 to 150  
300  
mW  
°C  
A
D
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
N2 M G  
Operating and Storage Temperature Range T , T  
G
J
stg  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
°C/W  
°C  
q
JA  
1
Gate  
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
Source  
N2  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and overbar may vary  
depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MGSF1N02LT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
MGSF1N02LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
MGSF1N02LT3  
SOT−23 10,000/Tape & Reel  
MGSF1N02LT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 4  
MGSF1N02LT1/D  
1234

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