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MGSF1P02

更新时间： 2024-09-22 11:02:07

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Power MOSFET P-Channel

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MGSF1P02 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

MGSF1P02 数据手册

MGSF1P02

Power MOSFET

P-Channel

DRAIN

SOT-23

Features:

*Low On-Resistance : 0.35Ω

*Low Input Capacitance: 130 PF

*Low Out put Capacitance : 120 PF

*Low Threshole : 1.7V(TYE)

GATE

SOURCE

*Fast Switching Speed : 2.5ns

Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)

Rating

Symbol

Value

Unit

DSS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current (TA=25 C)

750

2000

400

300

C/W

Pulsed Drain Current⁽¹⁾

(t <10us)

Power Dissipation (TA=25 C)

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T ,Tstg

-55 to 150

Device Marking

MGSF1P02=PC

Note 1:

Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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