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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF1N03LT1
MGSF1N03LT1 PDF预览

MGSF1N03LT1

更新时间： 2024-11-20 21:54:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

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MGSF1N03LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.1Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.42 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MGSF1N03LT1 数据手册

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MGSF1N03LT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry. Typical  
applications are dc−dc converters and power management in portable  
and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low R  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
80 mW @ 10 V  
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
• Pb−Free Package is Available  
30 V  
2.1 A  
125 mW @ 4.5 V  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
N−Channel  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
30  
±20  
2.1  
D
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
A
A
T = 85°C  
A
1.5  
G
t ≤ 10 s T = 25°C  
2.8  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
0.73  
W
A
A
D
S
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
I
D
1.6  
1.1  
A
State  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
D
0.42  
W
3
3
Drain  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
6.0  
A
V
DM  
1
2
ESD Capability (Note 3)  
C = 100 pF,  
RS = 1500 W  
ESD  
125  
N3  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
T
STG  
1
Gate  
2
Source  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.1  
A
N3  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
170  
100  
300  
Unit  
†
Device  
Package  
SOT−23  
SOT−23  
Shipping  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t < 10 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
q
q
JA  
JA  
JA  
MGSF1N03LT1  
MGSF1N03LT3  
MGSF1N03LT3G  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
R
R
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. ESD Rating Information: HBM Class 0.  
SOT−23 10000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
March, 2005 − Rev. 7  
MGSF1N03LT1/D  
 
1234

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MGSF1N03LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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