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MGSF1P02LT1G PDF预览

MGSF1P02LT1G

更新时间： 2024-02-27 20:53:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 82K
描述
TRANSISTOR 750 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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MGSF1P02LT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.14配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A
最大漏极电流 (ID)：0.75 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGSF1P02LT1G 数据手册

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MGSF1P02LT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
750 mAmps, 20 Volts  
P–Channel SOT–23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry. Typical  
applications are dc–dc converters and power management in portable  
and battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
750 mAMPS  
20 VOLTS  
• Low R  
DS(on)  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
R
= 350 mW  
DS(on)  
• Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space  
P–Channel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
Drain Current  
Symbol  
V
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
mA  
DSS  
V
GS  
± 20  
1
– Continuous @ T = 25°C  
I
750  
2000  
A
D
– Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
400  
mW  
A
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
– 55 to  
150  
°C  
J
stg  
MARKING  
DIAGRAM  
Thermal Resistance – Junction–to–Ambient  
R
300  
260  
°C/W  
°C  
θJA  
3
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
L
SOT–23  
CASE 318  
STYLE 21  
PC  
W
1
2
W
= Work Week  
PIN ASSIGNMENT  
Drain  
3
1
Gate  
2
Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MGSF1P02LT1  
MGSF1P02LT3  
SOT–23  
3000 Tape & Reel  
SOT–23 10,000 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 3  
MGSF1P02LT1/D  
12345678

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MGSF1P02LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MGSF1P02LT3 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
MGSF1P02LT1 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
NTR1P02T1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET

与MGSF1P02LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGSF1P02LT3 MOTOROLA

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1P02LT3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
MGSF1P02LT3G ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
MGSF2N02E ONSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL ONSEMI

获取价格

 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL TYSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 Pbâˆ
MGSF2N02ELT1 TYSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 Pbâˆ
MGSF2N02ELT1 ONSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1G ONSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1G TYSEMI

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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 Pbâˆ

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