是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.14 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.75 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.75 A | 最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MGSF1P02LT3 | ONSEMI |
完全替代 |
Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts | |
MGSF1P02LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts | |
NTR1P02T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGSF1P02LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET | |
MGSF1P02LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts | |
MGSF1P02LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
MGSF2N02E | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 | |
MGSF2N02EL | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 | |
MGSF2N02EL | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ | |
MGSF2N02ELT1 | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ | |
MGSF2N02ELT1 | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 | |
MGSF2N02ELT1G | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 | |
MGSF2N02ELT1G | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ |