Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G

更新时间： 2024-11-24 22:30:11

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	58K
描述
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

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MGSF2N02ELT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.96
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	376539	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AS	Samacsys Released Date：	2018-06-22 06:30:58
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MGSF2N02ELT1G 数据手册

MGSF2N02EL

Preferred Device

Power MOSFET

2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

These miniature surface mount MOSFETs low R

assure

DS(on)

minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal

for use in space sensitive power management circuitry.

http://onsemi.com

Features

2.8 A, 20 V

R_DS(on)= 85 mW (max)

• Pb−Free Packages are Available

• Low R

Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

DS(on)

• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space

• I Specified at Elevated Temperature

N−Channel

DSS

Applications

• DC−DC Converters

• Power Management in Portable and Battery Powered Products, ie:

Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless

Telephones

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain−to−Source Voltage

Gate−to−Source Voltage − Continuous

Drain Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

MARKING

DIAGRAM

DSS

± 8.0

− Continuous @ T = 25°C

2.8

5.0

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

− Single Pulse (t = 10 ms)

NT M

Total Power Dissipation @ T = 25°C

1.25

Operating and Storage Temperature

Range

T , T

− 55 to

150

°C

stg

Thermal Resistance

Junction−to−Ambient (Note 1)

Thermal Resistance

°C/W

= Device Code

= Date Code

100

300

260

Junction−to−Ambient (Note 2)

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds

°C

PIN ASSIGNMENT

Drain

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

1. 1” Pad, t < 10 sec.

2. Min pad, steady state.

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

This document contains information on a new product. Specifications and information

herein are subject to change without notice.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

August, 2004 − Rev. 2

MGSF2N02EL/D

12 3 4 5 6

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MGSF2N02ELT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MGSF2N02ELT1	ONSEMI	类似代替	2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
IRLML6244TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFETPower MOSFET

与MGSF2N02ELT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGSF2N02ELT3	TYSEMI	获取价格	2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ
MGSF2N02ELT3	ONSEMI	获取价格	2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT3G	ONSEMI	获取价格	2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT3G	TYSEMI	获取价格	2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ
MGSF2P02HD	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
MGSF2P02HD	MOTOROLA	获取价格	1.3A, 20V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF2P02HDR2	MOTOROLA	获取价格	1.3A, 20V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF2P02HDT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
MGSF2P02HDT3	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
MGSF3441V	ONSEMI	获取价格	3300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6

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