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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF3441VT1
MGSF3441VT1 PDF预览

MGSF3441VT1

更新时间： 2024-11-21 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 120K
描述
Low rDS(on) Small-signal MOSFETs TMOS Single P=Channel Field Effect Transistors

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MGSF3441VT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.13
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A
最大漏极电流 (ID)：3.3 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGSF3441VT1 数据手册

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by MGSF3441VT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
P–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
r
= 78 mΩ (TYP)  
DS(on)  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–  
conserving traits.  
D
D
S
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High  
Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures minimal  
DS(on)  
1 2 5 6  
D
power loss and conserves energy, making this device ideal for use  
in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and battery–  
powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,  
cellular and cordless telephones.  
DRAIN  
D
G
CASE 318G–02, Style 1  
TSOP 6 PLASTIC  
3
•
•
•
Low r Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
Miniature TSOP 6 Surface Mount Package Saves Board Space  
GATE  
SOURCE  
4
Visit our Web Site at http://www.mot–sps.com/ospd  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
A
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 8.0  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
D
3.3  
20  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C Mounted on FR4 t  
5 sec  
P
2.0  
– 55 to 150  
128  
W
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
T , T  
J
stg  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
MGSF3441VT1  
MGSF3441VT3  
7″  
8 mm embossed tape  
8 mm embossed tape  
3000  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997
1234567

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与MGSF3441VT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGSF3441VTD MOTOROLA

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 		Low rDS(on) Small-signal MOSFETs TMOS Single P=Channel Field Effect Transistors
MGSF3441X ONSEMI

获取价格

 		1500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3441XT1 MOTOROLA

获取价格

 		Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3441XT3 MOTOROLA

获取价格

 		Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3442VT1 MOTOROLA

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3442VT3 MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicon
MGSF3442X ONSEMI

获取价格

 		1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3442XT1 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3442XT1 ONSEMI

获取价格

 		1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6
MGSF3442XT3 ONSEMI

获取价格

 		1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6

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