Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF3455XT1

MGSF3455XT1

更新时间： 2024-01-19 20:41:31

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

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MGSF3455XT1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.45 A
最大漏极电流 (ID)：	1.45 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

MGSF3455XT1 数据手册

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by MGSF3455XT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

P–CHANNEL

ENHANCEMENT–MODE

TMOS MOSFET

= 80 mΩ (TYP)

DS(on)

Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–

conserving traits.

These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High

Cell Density, HDTMOS process. Low r

assures minimal

DS(on)

1 2 5 6

power loss and conserves energy, making this device ideal for use

in small power management circuitry. Typical applications are

dc–dc converters, power management in portable and battery–

powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,

cellular and cordless telephones.

DRAIN

CASE 318G–02, Style 1

TSOP 6 PLASTIC

•

Low r Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

DS(on)

Miniature TSOP 6 Surface Mount Package Saves Board Space

GATE

SOURCE

Visit our Web Site at http://www.mot–sps.com/ospd

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain–to–Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

Gate–to–Source Voltage — Continuous

± 20

Drain Current — Continuous @ T = 25°C

1.45

Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

400

– 55 to 150

300

°C

Operating and Storage Temperature Range

T , T

stg

Thermal Resistance — Junction–to–Ambient

°C/W

°C

θJA

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds

260

ORDERING INFORMATION

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

MGSF3455XT1

MGSF3455XT3

7″

8 mm embossed tape

3000

13″

10,000

GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.

HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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与MGSF3455XT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGSF3455XT3	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
MGST	TE	获取价格	GRID HIGH-PERFORMANCE RELAYS
MG-ST01	ETC	获取价格	SkyTraq GPS Module
MGT	MERITEK	获取价格	Gas Discharge Tube
MGT-10T-187	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连
MGT-10TN	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连
MGT-15T-187	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连
MGT-15TN	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连
MGT-24T-187	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连
MGT-24T-250	JST	获取价格	MG连接器是设计用于铜磁线连接的端子，可适用与多种绝缘外皮。各种类型的磁线端接方便，电气连

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