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MGSF3455XT3 PDF预览

MGSF3455XT3

更新时间: 2024-11-25 17:02:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 278K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MGSF3455XT3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.33配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1.45 A
最大漏极电流 (ID):1.45 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MGSF3455XT3 数据手册

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