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MGSF3455XT3

更新时间: 2024-01-30 07:41:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 278K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MGSF3455XT3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.76
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.45 A最大漏极电流 (ID):1.45 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MGSF3455XT3 数据手册

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