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MGSF3441X

更新时间： 2024-11-21 19:51:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
33页	310K
描述
1500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6

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MGSF3441X 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MGSF3441X 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

P–CHANNEL

ENHANCEMENT–MODE

TMOS MOSFET

= 78 mΩ (TYP)

DS(on)

Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–

conserving traits.

These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s

1 2 5 6

DRAIN

High Cell Density, HDTMOS process. Low r

assures

DS(on)

minimal power loss and conserves energy, making this device

ideal for use in small power management circuitry. Typical

applications are dc–dc converters, power management in

portable and battery–powered products such as computers,

printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

CASE 318G–02, Style 1

TSOP 6 PLASTIC

GATE

•

Low r

Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

DS(on)

SOURCE

Miniature TSOP 6 Surface Mount Package Saves Board Space

Visit our Web Site at http://www.mot–sps.com/ospd

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain–to–Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

Gate–to–Source Voltage — Continuous

± 8.0

Drain Current — Continuous @ T = 25°C

1.5

Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

950

– 55 to 150

132

°C

Operating and Storage Temperature Range

T , T

stg

Thermal Resistance — Junction–to–Ambient

°C/W

°C

θJA

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds

260

ORDERING INFORMATION

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

3000

MGSF3441XT1

MGSF3441XT3

7″

8 mm embossed tape

13″

10,000

This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 2

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

4–37

12 3 4 5 6 7...33

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与MGSF3441X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGSF3441XT1	MOTOROLA	获取价格	Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3441XT3	MOTOROLA	获取价格	Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3442VT1	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3442VT3	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicon
MGSF3442X	ONSEMI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3442XT1	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3442XT1	ONSEMI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6
MGSF3442XT3	ONSEMI	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6
MGSF3442XT3	MOTOROLA	获取价格	1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MGSF3454VT1	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

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