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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF3442XT1
MGSF3442XT1 PDF预览

MGSF3442XT1

更新时间： 2024-02-19 12:18:32
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

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MGSF3442XT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.32
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MGSF3442XT1 数据手册

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by MGSF3442XT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
r
= 58 mΩ (TYP)  
DS(on)  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–  
conserving traits.  
D
D
S
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High  
Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures minimal  
DS(on)  
1 2 5 6  
D
power loss and conserves energy, making this device ideal for use  
in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and battery–  
powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,  
cellular and cordless telephones.  
DRAIN  
D
G
CASE 318G–02, Style 1  
TSOP 6 PLASTIC  
3
•
•
•
Low r Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
Miniature TSOP 6 Surface Mount Package Saves Board Space  
GATE  
SOURCE  
4
Visit our Web Site at http://www.mot–sps.com/ospd  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
A
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 8.0  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
D
1.7  
20  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
400  
– 55 to 150  
300  
mW  
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
stg  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
MGSF3442XT1  
MGSF3442XT3  
7″  
8 mm embossed tape  
8 mm embossed tape  
3000  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997
1234

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与MGSF3442XT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGSF3442XT3 ONSEMI

获取价格

 		1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6
MGSF3442XT3 MOTOROLA

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 		1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MGSF3454VT1 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3454VT3 MOTOROLA

获取价格

 		4.2A, 30V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSOP-6
MGSF3454VT3 ONSEMI

获取价格

 		4.2A, 30V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3454X ONSEMI

获取价格

 		1750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3454XT1 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3454XT3 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MGSF3455VT1 MOTOROLA

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3455VT3 MOTOROLA

获取价格

 		3.5A, 30V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSOP-6

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