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MGSF3454VT3

更新时间： 2024-09-23 14:53:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 124K
描述
4.2A, 30V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6

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MGSF3454VT3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：PLASTIC, TSOP-6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.31配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A
最大漏极电流 (ID)：4.2 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGSF3454VT3 数据手册

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by MGSF3454VT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
r
= 50 mΩ (TYP)  
DS(on)  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–  
conserving traits.  
D
D
S
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High  
Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures minimal  
DS(on)  
1 2 5 6  
D
power loss and conserves energy, making this device ideal for use  
in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and battery–  
powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,  
cellular and cordless telephones.  
DRAIN  
D
G
CASE 318G–02, Style 1  
TSOP 6 PLASTIC  
3
•
•
•
Low r Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
Miniature TSOP 6 Surface Mount Package Saves Board Space  
GATE  
SOURCE  
4
Visit our Web Site at http://www.mot–sps.com/ospd  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
A
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 20  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
D
4.2  
20  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C Mounted on FR4 t  
5 sec  
P
2.0  
– 55 to 150  
62.5  
W
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
T , T  
J
stg  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
MGSF3454VT1  
MGSF3454VT3  
7″  
8 mm embossed tape  
8 mm embossed tape  
3000  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997
123456

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与MGSF3454VT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGSF3454X ONSEMI

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 		1750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3454XT1 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3454XT3 MOTOROLA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MGSF3455VT1 MOTOROLA

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3455VT3 MOTOROLA

获取价格

 		3.5A, 30V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSOP-6
MGSF3455VT3 ONSEMI

获取价格

 		3.5A, 30V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3455X ONSEMI

获取价格

 		1450mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSOP-6
MGSF3455XT1 MOTOROLA

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3455XT3 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
MGST TE

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 		GRID HIGH-PERFORMANCE RELAYS

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