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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLML6244TRPBF
IRLML6244TRPBF PDF预览

IRLML6244TRPBF

更新时间： 2024-11-18 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 202K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRLML6244TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.12配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A
最大漏极电流 (ID)：6.3 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLML6244TRPBF 数据手册

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PD - 97535A  
IRLML6244TRPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
20  
V
V
VGS Max  
±12  
RDS(on) max  
(@VGS = 4.5V)  
21.0  
27.0  
m
RDS(on) max  
(@VGS = 2.5V)  
TM  
m
Micro3 (SOT-23)  
IRLML6244TRPbF  
Application(s)  
Load/ System Switch  
Features and Benefits  
Features  
Benefits  
Lower conduction losses  
Low RDS(on) ( < 21m )  
Industry-standard SOT-23 Package  
results in Multi-vendor compatibility  
RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen  
Environmentally friendly  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
20  
Units  
V
VDS  
Drain-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
6.3  
5.1  
A
32  
Pulsed Drain Current  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
1.3  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
0.80  
0.01  
± 12  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
100  
Units  
RJA  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RJA  
–––  
99  
Junction-to-Ambient (t<10s)  
ORDERING INFORMATION:  
See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
03/09/12  
1234567...10

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IRLML6244TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLML2402GTRPBF INFINEON

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NTR4501NT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
FDN335N FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

与IRLML6244TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLML6246 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRLML6246PBF INFINEON

获取价格

 		Industry-standard SOT-23 Package
IRLML6246PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Industry-standard SOT-23 Package
IRLML6246TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLML6246TRPBF TYSEMI

获取价格

 		RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen Multi-vendor compatibility
IRLML6246TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
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 		SOT-23
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IRLML6302GTRPBF TYSEMI

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