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IRLML2402GTRPBF

更新时间： 2024-11-20 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, LEAD FREE, MICRO-3

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IRLML2402GTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, MICRO-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：6.85其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.2 A最大漏极电流 (ID)：1.2 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.54 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLML2402GTRPBF 数据手册

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PD - 96162A  
IRLML2402GPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l SOT-23 Footprint  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape and Reel  
l Fast Switching  
G
S
1
2
VDSS = 20V  
3
D
RDS(on) = 0.25Ω  
l Lead-Free  
l Halogen-Free  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
Micro3™  
A customized leadframe has been incorporated into the  
standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power  
MOSFET with the industry's smallest footprint. This  
package, dubbed the Micro3, is ideal for applications  
whereprintedcircuitboardspaceisatapremium. Thelow  
profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it to fit easily into  
extremely thin application environments such as portable  
electronics and PCMCIA cards.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
1.2  
0.95  
7.4  
A
PD@TA = 25°C  
Power Dissipation  
540  
4.3  
mW  
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
5.0  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient „  
Typ.  
–––  
Max.  
230  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
12/14/11  
12345678

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IRLML2402GTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLML2402TRPBF INFINEON

完全替代

 HEXFET® Power MOSFET
IRLML6244TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFETPower MOSFET
DMN2112SN-7 DIODES

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与IRLML2402GTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLML2402PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLML2402PBF-1 INFINEON

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 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML2402PBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRLML2402TR INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRLML2402TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLML2402TRHR INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0012A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		SOT-23 　

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