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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MGSF2N02ELT1
MGSF2N02ELT1 PDF预览

MGSF2N02ELT1

更新时间： 2024-11-20 22:30:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

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MGSF2N02ELT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.34配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：5 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MGSF2N02ELT1 数据手册

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MGSF2N02EL  
Preferred Device  
Power MOSFET  
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry.  
http://onsemi.com  
Features  
2.8 A, 20 V  
RDS(on) = 85 mW (max)  
• Pb−Free Packages are Available  
• Low R  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
• I Specified at Elevated Temperature  
N−Channel  
DSS  
D
Applications  
• DC−DC Converters  
• Power Management in Portable and Battery Powered Products, ie:  
Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless  
Telephones  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
S
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
A
MARKING  
DIAGRAM  
V
DSS  
V
GS  
± 8.0  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
D
2.8  
5.0  
A
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
− Single Pulse (t = 10 ms)  
I
p
DM  
NT M  
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
1.25  
W
A
2
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
− 55 to  
150  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
NT  
M
= Device Code  
= Date Code  
q
JA  
100  
300  
260  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
°C  
PIN ASSIGNMENT  
3
Drain  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1. 1” Pad, t < 10 sec.  
2. Min pad, steady state.  
1
Gate  
2
Source  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 2  
MGSF2N02EL/D  
 
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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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