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MGSF2N02ELT1

更新时间： 2024-02-04 19:19:17

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	183K
描述
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 PbâFree Packages are Available

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MGSF2N02ELT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.96
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	376539	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AS	Samacsys Released Date：	2018-06-22 06:30:58
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MGSF2N02ELT1 数据手册

Product specification

MGSF2N02EL

Power MOSFET

2.8 A, 20 V

_DS(on)= 85 mW (max)

2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

These miniature surface mount MOSFETs low R

minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal

for use in space sensitive power management circuitry.

assure

DS(on)

N−Channel

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Low R

Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

DS(on)

• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space

• I Specified at Elevated Temperature

DSS

Applications

• DC−DC Converters

MARKING

DIAGRAM

• Power Management in Portable and Battery Powered Products, ie:

Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless

Telephones

SOT−23

NT M

CASE 318

STYLE 21

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Drain−to−Source Voltage

Gate−to−Source Voltage − Continuous

Drain Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

± 8.0

= Device Code

= Date Code

− Continuous @ T = 25°C

2.8

5.0

− Single Pulse (t = 10 ms)

PIN ASSIGNMENT

Total Power Dissipation @ T = 25°C

1.25

Operating and Storage Temperature

Range

T , T

− 55 to

150

°C

Drain

stg

Thermal Resistance

°C/W

Junction−to−Ambient (Note 1)

Thermal Resistance

100

300

260

Junction−to−Ambient (Note 2)

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds

°C

Gate

Source

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

1. 1” Pad, t < 10 sec.

2. Min pad, steady state.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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