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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF1P02LT3
MGSF1P02LT3 PDF预览

MGSF1P02LT3

更新时间： 2024-01-30 14:01:48
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

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MGSF1P02LT3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.16配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A
最大漏极电流 (ID)：0.75 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGSF1P02LT3 数据手册

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by MGSF1P02LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
P–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–  
conserving traits.  
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s  
3
High Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures  
DS(on)  
3 DRAIN  
minimal power loss and conserves energy, making this device  
ideal for use in space sensitive power management circuitry.  
Typical applications are dc–dc converters and power manage-  
ment in portable and battery–powered products such as  
computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless  
telephones.  
1
2
CASE 318–08, Style 21  
SOT–23 (TO–236AB)  
1
GATE  
•
Low r  
Life  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery  
DS(on)  
2 SOURCE  
•
Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
mA  
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 20  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
D
750  
2000  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
225  
– 55 to 150  
625  
mW  
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
T , T  
J
stg  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
MGSF1P02LT1  
MGSF1P02LT3  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000  
7″  
8mm embossed tape  
8mm embossed tape  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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MGSF1P02LT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTR1P02T1G ONSEMI

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NTR1P02LT3G ONSEMI

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NTR1P02LT1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
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 		2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 Pbâˆ
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