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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTR1P02T1G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| NTR1P02LT3G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGSF1P02LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MGSF2N02E | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
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| MGSF2N02EL | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
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| MGSF2N02EL | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ |
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| MGSF2N02ELT1 | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ |
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| MGSF2N02ELT1 | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
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| MGSF2N02ELT1G | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
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| MGSF2N02ELT1G | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ |
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| MGSF2N02ELT3 | TYSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, NâChannel SOTâ23 Pbâ |
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| MGSF2N02ELT3 | ONSEMI |
获取价格 |
2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
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