5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MGSF1N03LT3
MGSF1N03LT3 PDF预览

MGSF1N03LT3

更新时间： 2024-01-24 00:16:53
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 186K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

阅读下载

获取价格

MGSF1N03LT3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.1Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.42 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MGSF1N03LT3 数据手册

 浏览型号MGSF1N03LT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MGSF1N03LT3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MGSF1N03LT3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MGSF1N03LT3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MGSF1N03LT3的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by MGSF1N03LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–  
conserving traits.  
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s  
3
High Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures  
DS(on)  
3 DRAIN  
minimal power loss and conserves energy, making this device  
ideal for use in space sensitive power management circuitry.  
Typical applications are dc–dc converters and power manage-  
ment in portable and battery–powered products such as  
computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless  
telephones.  
1
2
CASE 318–08, Style 21  
SOT–23 (TO–236AB)  
1
GATE  
•
Low r  
Life  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery  
DS(on)  
2 SOURCE  
•
Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board  
Space  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
mA  
V
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 20  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
D
750  
2000  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
225  
– 55 to 150  
625  
mW  
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
T , T  
J
stg  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000  
MGSF1N03LT1  
MGSF1N03LT3  
7″  
8mm embossed tape  
8mm embossed tape  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

下载PDF

与MGSF1N03LT3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MGSF1N03LT3G ONSEMI Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

获取价格
MGSF1N03LT3G TYSEMI Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel,

获取价格
MGSF1P02 WEITRON Power MOSFET P-Channel

获取价格
MGSF1P02ELT1 ONSEMI Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23

获取价格
MGSF1P02ELT3 ONSEMI Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23

获取价格
MGSF1P02LT1 ONSEMI Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts

获取价格

与MGSF1N03LT3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证