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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G PDF预览

MGSF1N03LT1G

更新时间： 2024-11-22 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V，2.1A，100 mΩ

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MGSF1N03LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.76
Samacsys Description：NULL配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.42 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

MGSF1N03LT1G 数据手册

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MGSF1N03LT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23  
These miniature surface mount MOSFETs low R  
assure  
DS(on)  
minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal  
for use in space sensitive power management circuitry. Typical  
applications are dc−dc converters and power management in portable  
and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA  
cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low R  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
80 mW @ 10 V  
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
• Pb−Free Package is Available  
30 V  
2.1 A  
125 mW @ 4.5 V  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
N−Channel  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
30  
±20  
2.1  
D
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
A
A
T = 85°C  
A
1.5  
G
t ≤ 10 s T = 25°C  
2.8  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
0.73  
W
A
A
D
S
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
I
D
1.6  
1.1  
A
State  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
D
0.42  
W
3
3
Drain  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
6.0  
A
V
DM  
1
2
ESD Capability (Note 3)  
C = 100 pF,  
RS = 1500 W  
ESD  
125  
N3  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
T
STG  
1
Gate  
2
Source  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.1  
A
N3  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
170  
100  
300  
Unit  
†
Device  
Package  
SOT−23  
SOT−23  
Shipping  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t < 10 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
q
q
JA  
JA  
JA  
MGSF1N03LT1  
MGSF1N03LT3  
MGSF1N03LT3G  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
R
R
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. ESD Rating Information: HBM Class 0.  
SOT−23 10000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
March, 2005 − Rev. 7  
MGSF1N03LT1/D  
 
1234

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MGSF1N03LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS355AN ONSEMI

类似代替

 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.7A，85mΩ
MVGSF1N03LT1G ONSEMI

类似代替

 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，2.1A，100mΩ
MGSF1N03LT1 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

与MGSF1N03LT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGSF1N03LT3 ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
MGSF1N03LT3 MOTOROLA

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1N03LT3G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
MGSF1N03LT3G TYSEMI

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MGSF1P02 WEITRON

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 		Power MOSFET P-Channel
MGSF1P02ELT1 ONSEMI

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 		Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23
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 		TRANSISTOR 750 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, LEAD FREE, CASE 318-

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