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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB81C84A45PSK | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
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| MB81C86-55C | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, |
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| MB81C86-55CV | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC32 |
|
| MB81C86-70C | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 70ns, CMOS, CDIP28, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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| MB81C86-70CV | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 70ns, CMOS, CQCC32 |
|
| MB81E161622-10FH-X | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54 |
|
| MB81E161622-12FH | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54 |
|
| MB81E643242-13FN | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 |
|
| MB81E643242-15FN | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 |
|
| MB81EDS253245 | FUJITSU |
获取价格 |
DRAM |
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