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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB81E161622-10FH-X | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54 |
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| MB81E161622-12FH | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54 |
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| MB81E643242-13FN | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 |
|
| MB81E643242-15FN | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 |
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| MB81EDS253245 | FUJITSU |
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DRAM |
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| MB81EDS256445 | FUJITSU |
获取价格 |
MEMORY Consumer FCRAM CMOS 256M Bit (4 bank x 1M word x 64 bit) Consumer Applications Spec |
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| MB81EDS256545 | FUJITSU |
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DRAM |
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| MB81EDS516445 | FUJITSU |
获取价格 |
512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP |
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| MB81EDS516545 | FUJITSU |
获取价格 |
512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP |
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| MB81EDS516545_10 | FUJITSU |
获取价格 |
512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP |
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