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MB81E643242-13FN

更新时间： 2024-09-17 18:51:43
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 669K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86

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MB81E643242-13FN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP2,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G86长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：32功能数量：1
端口数量：1端子数量：86
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

MB81E643242-13FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
AE1.1E  
MEMORY  
CMOS  
4 × 512 K × 32 BIT  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
MB81E643242-13/-15  
CMOS 4-Bank × 524,288-Word × 32 Bit  
Synchronous Dynamic Random Access Memory  
■ DESCRIPTION  
The Fujitsu MB81E643242 is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing  
67,108,864 memorycellsaccessible in a 32-bit format. The MB81E643242 featuresa fullysynchronousoperation  
referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which enables high  
performance and simple user interface coexistence.  
The MB81E643242 is utilized using Fujitsu advanced FCRAM core technology and designed to improve the  
random access performance and the complexity of controlling reguler synchronous DRAM (SDRAM) which  
require many wait state due to long latency constraints.  
The MB81E643242 is ideally suited for embeded controllers, printers, file storage and other applications where  
a simple interface is needed.  
■ PRODUCT LINE & FEATURES  
MB81E643242  
Parameter  
-13  
-15  
Clock Frequency @CL = 2  
Burst Mode Cycle Time  
75 MHz max.  
20 ns min.  
13 ns min.  
15 ns max.  
7 ns max.  
180 mA  
67 MHz max.  
25 ns min.  
15 ns min.  
18 ns max.  
8 ns max.  
160 mA  
CL = 1  
CL = 2  
CL = 1  
CL = 2  
Access Time From Clock  
Operating Current  
Power Down Mode Current (ICC2P)  
Self-refresh Current (ICC6)  
2 mA  
2 mA  
2 mA  
2 mA  
• Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance  
• LVTTL compatible I/O interface  
• Four bank operation  
• 4 K refresh cycles every 64 ms  
• Auto- and Self-refresh  
• CKE power down mode  
• Programmable burst type, burst length, and  
CAS latency  
• Output Enable and Input Data Mask  
1234567...48

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与MB81E643242-13FN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB81E643242-15FN FUJITSU

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 		Synchronous DRAM, 2MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81EDS253245 FUJITSU

获取价格

 		DRAM
MB81EDS256445 FUJITSU

获取价格

 		MEMORY Consumer FCRAM CMOS 256M Bit (4 bank x 1M word x 64 bit) Consumer Applications Spec
MB81EDS256545 FUJITSU

获取价格

 		DRAM
MB81EDS516445 FUJITSU

获取价格

 		512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP
MB81EDS516545 FUJITSU

获取价格

 		512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP
MB81EDS516545_10 FUJITSU

获取价格

 		512M Bit (4 bank x 2M word x 64 bit) Consumer Applications Specific Memory for SiP
MB81ES123245-10 FUJITSU

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 		128 M-BIT (4-BANK 】 1 M-WORD 】 32-BIT) SINGLE
MB81ES171625 FUJITSU

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 		SINGLE DATA RATE I/F FCRAM Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP
MB81ES171625-15WFKT-X FUJITSU

获取价格

 		SINGLE DATA RATE I/F FCRAM Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP

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