是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIE, DIE OR CHIP | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 12 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 66 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N84 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIE |
封装等效代码: | DIE OR CHIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.073 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB81ES253245 | FUJITSU |
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DRAM | |
MB81ES256445 | FUJITSU |
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DRAM | |
MB81ES641645A-07 | FUJITSU |
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64 Mbit SDR I/F Consumer FCRAM Consumer Embedded Application Specific Memory | |
MB81ES653225 | FUJITSU |
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Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81ES653225-12 | FUJITSU |
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Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81ES653225-12L | FUJITSU |
获取价格 |
Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81F161622B-10 | FUJITSU |
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SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
MB81F161622B-102 | FUJITSU |
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SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
MB81F161622B-102FN | FUJITSU |
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Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 | |
MB81F161622B-103FN | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |