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MB81F641642D-75FN

更新时间： 2024-11-07 21:11:55

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	480K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54

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MB81F641642D-75FN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.29	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MB81F641642D-75FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11054-2E

MEMORY

CMOS

4 × 1 M × 16 BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

MB81F641642D-75/-102/-102L

CMOS 4-Bank × 1,048,576-Word × 16 Bit

Synchronous Dynamic Random Access Memory

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB81F641642D is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing

67,108,864 memory cells accessible in a 16-bit format. The MB81F641642D features a fully synchronous oper-

ation referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which enables

high performance and simple user interface coexistence. The MB81F641642D SDRAM is designed to reduce

the complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing constraints,

and may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a conventional DRAM.

The MB81F641642D is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic

adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and

where a simple interface is needed.

■ PRODUCT LINE & FEATURES

MB81F641642D

Parameter

Reference Value

-75

-102/-102L

@66MHz(CL=2)

2 - 2 - 2 clk min.

66 MHz max.

15ns min.

CL - t^RCD- t^RP

3 - 3 - 3 clk min.

133 MHz max.

10 ns min.

2 - 2 - 2 clk min.

100 MHz max.

10 ns min.

Clock Frequency

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

Burst Mode Cycle Time

7.5 ns min.

6 ns max.

10 ns min.

6 ns max.

8 ns max.

Access Time From

Clock

6 ns max.

Operating Current

90 mA max.

1 mA max.

85 mA max.

70 mA max.

1 mA max.

Power Down Mode Current (I^CC2P)

Self Refresh Current (I^CC6)

1 mA max.

1 mA max./ 500 µA max.

1 mA max.

12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81F643242B-10FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-10FN-S	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-10FN-X	FUJITSU	获取价格	MEMORY CMOS 4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242B-10FN-X-S	FUJITSU	获取价格	DRAM
MB81F643242B-70FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-70FN-S	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242C	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-10	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-60	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-70	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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