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MB81N26167B-60FN

更新时间： 2024-11-09 21:00:47
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 929K
描述
16MX16 DDR DRAM, 0.85ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66

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MB81N26167B-60FN 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：66
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.56
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：0.85 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G66长度：22.22 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.65 V
最小供电电压 (Vsup)：2.35 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

MB81N26167B-60FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
AE0.2E  
MEMORY  
CMOS  
256M BIT  
DOUBLE DATA RATE FCRAM™  
MB81N26847B/261647B-50/-55/-60  
CMOS 4-BANK x 67,108,864 BIT  
Fast Cycle Random Access Memory  
with Double Data Rate  
■ DESCRIPTION  
The Fujitsu MB81N26847B/261647B is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM) containing  
268,435,456 memory cells accessible in an 8-bit or 16-bit format. The MB81N26847B/261647B features a fully  
synchronous operation referenced to clock edge whereby all operations are synchronized at a clock input which  
enables high performance and simple user interface coexistence. The MB81N26847B/261647B is designed to  
reduce the complexity of using a standard Dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing  
constraints. The MB81N26847B/261647B uses Double Data Rate (DDR) where data bandwidth is twice of fast  
speed compared with regular SDRAMs.  
The MB81N26847B/261647B is designed using Fujitsu advanced FCRAM Core Technology.  
The MB81N26847B/261647B is ideally suited for Enterprise Servers, Network Systems, Hardware Accelerators,  
Buffers, and other applications where large memory density and high effective bandwidth are required and where  
a simple interface is needed.  
The MB81N26847B/261647B adopts CMOS I/O interface circuitry, 2.5 V SSTL-2 interface, which is capable of  
extremely fast data transfer of quality.  
■ PRODUCT LINE  
MB81N26847B/261647B  
Parameter  
-50  
-55  
-60  
CL = 4  
CL = 3  
200 MHz max  
183 MHz max  
22 ns max  
183 MHz max  
166 MHz max  
24 ns max  
166 MHz max  
154 MHz max  
26 ns max  
Clock Frequency  
Random Access Time  
Random Address Cycle Time  
DQS Access Time From Clock  
Operating Current (IDD1S)  
Power Down Current (IDD2P)  
25 ns min  
27.5 ns min  
+/– 0.75 ns max  
180 mA max  
2 mA max  
30 ns min  
+/– 0.75 ns max  
190 mA max  
2 mA max  
+/– 0.85 ns max  
170 mA max  
2 mA max  
Notice: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.  
(AE0.2E) 1  
1234567...48

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB81N26847A-22FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 32MX8, 0.85ns, CMOS, PDSO66
MB81N26847A-24FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 32MX8, 0.9ns, CMOS, PDSO66
MB81N643289 FUJITSU

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 		8 x 256K x 32 BIT DOUBLE DATA RATE FCRAMTM
MB81N643289-50FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 2MX32, 1.1ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
MB81N643289-60FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 2MX32, 1.3ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
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 		8 x 256K x 32 BIT, FCRAMTM CORE BASED DOUBLE DATA RATE SDRAM
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