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MB81V17805B-60PFTN

更新时间: 2024-11-07 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1234K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

MB81V17805B-60PFTN 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2, TSOP28,.46Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.4Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.11 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

MB81V17805B-60PFTN 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40