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MB81V4100C-70PFTR

更新时间: 2024-09-17 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 1034K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

MB81V4100C-70PFTR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2, TSSOP20/26,.36
针数:20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
长度:17.14 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.054 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

MB81V4100C-70PFTR 数据手册

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