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MB82009-20PJ

更新时间: 2024-11-09 19:51:19
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 344K
描述
128KX9 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

MB82009-20PJ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J36
长度:23.5 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:36字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX9可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.66 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

MB82009-20PJ 数据手册

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