5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 备用内存宽度： | 4 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.66 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB82201-25PJ | FUJITSU |
获取价格 |
4MX1 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| MB82201-35PJ | FUJITSU |
获取价格 |
4MX1 STANDARD SRAM, 35ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| MB82208-20PJ | FUJITSU |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
|
| MB82208-25PJ | FUJITSU |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
|
| MB82208-35PJ | FUJITSU |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 35ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
|
| MB8264 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case BR-6 |
|
| MB8264-20Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16 |
|
| MB8264A | FUJITSU |
获取价格 |
MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY |
|
| MB8264A10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| MB8264A-10 | FUJITSU |
获取价格 |
MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
