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MB8264A-12WTV

更新时间: 2024-09-17 12:59:43
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富士通 - FUJITSU 存储
页数 文件大小 规格书
16页 782K
描述
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, CQCC18

MB8264A-12WTV 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC18,.3X.43Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XQCC-N18
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:65536 words
字数代码:64000最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC18,.3X.43
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:128子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

MB8264A-12WTV 数据手册

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