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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 128 | 子类别： | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB8265A-12 | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, CQCC18 |
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| MB8265A12F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB8265A-12P | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, PDIP16 |
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| MB8265A-12Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, CDIP16 |
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| MB8265A15F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB8265A-15P | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 |
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| MB8266A10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB8266A-10 | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, CQCC18 |
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| MB8266A-10P | FUJITSU |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16 |
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| MB8266A12 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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