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MB8279RT-20PF

更新时间: 2024-09-17 21:07:35
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PDSO32

MB8279RT-20PF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP32,.5
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:73728 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
端子数量:32字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MB8279RT-20PF 数据手册

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