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MB8266A-15CV

更新时间: 2024-09-17 21:03:19
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1003K
描述
Nibble Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, CQCC18

MB8266A-15CV 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC18,.3X.43Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:150 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XQCC-N18
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:65536 words
字数代码:64000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC18,.3X.43
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:128子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

MB8266A-15CV 数据手册

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