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MB8266A-10

更新时间: 2024-09-17 21:00:35
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 504K
描述
64KX1 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, CQCC18

MB8266A-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.81
访问模式:NIBBLE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-CQCC-N18
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
刷新周期:128最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:QUADBase Number Matches:1

MB8266A-10 数据手册

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